＜初段＞
初段は、利得を稼ぐことを第一の目的とながらも、低雑音であることを意識し、Ｓ／Ｎの向上を目指した回路としました。このため、ローノイズハイμ管であり、シールド対策も施されているＥＦ８６を３極管接続で使用することとします。これなら、より高い利得が必要な場合には、５極管として使うことも出来ます。また、ドライバ段とは直結とすることにより時定数を一つ減らしています。ＶＲ−グリッド間の２７ｋΩは、ハイμ管の不安定な動作を緩和するための抵抗です。ドライバ段とは直結となっているため、ＥＦ８６のプレート電圧は５５Ｖで動作させます。この電圧がドライバ段の１２ＢＨ７Ａ（パラ接続）のグリッドにかかる電圧となります。
ＥＦ８６の電源電圧（Ｅｂ）を２１０Ｖ、負荷抵抗（ＲＬ）を２２０ｋΩと仮定して、ＥＦ８６の動作特性図に負荷線を引いて（ＩＰ＝０ｍＡ／Ｅｐ＝２１０Ｖ，ＩＰ＝０．９５ｍＡ／Ｅｐ＝０Ｖ）、グリッド・バイアス−１．２Ｖとの交点を求めると、ＩＰ＝約０．７ｍＡ、Ｅｐ＝約５５Ｖという値が出てきます。この動作条件でのＥＦ８６の利得は、約３０倍となります。プレート電圧（Ｅｐ）を５５Ｖという低い値にしたのは、次の１２ＢＨ７Ａと直結となるので、１２ＢＨ７ＡのＥｐが定格を越えないようにするためです。Ｅｐ／Ｉｐを低く押さえたことによりＥＦ８６の負荷はかなり軽くなっているので、球の寿命も延びそうです。
※私の用いたＥＦ８６の動作特性図から、この負荷線を基に動作点を求めようとすると、かなりアバウトな値しか読み取ることが出来ません。ここに書いた値は、あくまでも設計上の目安です。
・ＥＦ８６−規格表
・ＥＦ８６−特性図
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